机译:通过引入磷,增强了氯的热氧化物的生长并显着降低了SiO2 / SiC界面处的陷阱密度
机译:具有高κ栅极介电常数的MOSFET的接口质量和电荷陷阱特性得到改善
机译:SOI NMOSFET中分离前沟道热载流子应力引起的前,后栅极界面和氧化物陷阱的精制正向栅极二极管方法
机译:通过预氧化磷植入来降低4H-SiC / SiO_2接口捕集物的密度
机译:二氧化硅/ 4H-碳化硅中的氮掺入和界面陷阱的减少。
机译:使用双层门绝缘子在GaN-on-Si垂直沟槽MOSFET中:对性能和可靠性的影响
机译:金属/氧化物界面对采用MBE生长的Ga2O3(Gd2O3)作为栅极电介质的D型GaAs MOSFET的DC和RF性能的影响