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机译:铝离子横向散布对高压4H-SiC器件边缘端接设计的影响
NSF FREEDM Systems Center North Carolina State University;
NSF FREEDM Systems Center North Carolina State University;
NSF FREEDM Systems Center North Carolina State University;
Edge Termination; Ion Implantation; Lateral Straggling;
机译:斜面结终止扩展— 4H-SiC高压器件的新型边缘终止技术
机译:4H-SiC-多浮区连接端接扩展中高压器件的新型边缘端接技术
机译:高压台面结构的边缘终止技术4H-SIC器件:负斜面
机译:近距离磨削对高压4H-SIC器件边缘终端设计的影响
机译:新型边缘端接技术的发展及其在碳化硅功率器件中的应用。
机译:4H-SiC GTO器件中异常的位错聚集引起的正向压降
机译:4H-SIC植入铝的横向磨损