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机译:单晶稀磁半导体Ga_(1-x)Mn_xN纳米线的受控掺杂
Department of Ceramic Engineering, Hanyang University, Seoul 133-791, Republic of Korea;
Ⅲ-Ⅴ group semiconductors; Mn doped GaN; one-dimensional nanostructure; nanowires; dilute magnetic semiconductors;
机译:X射线吸收近边缘结构光谱法直接测定Ga_(1-x)Mn_xN稀磁半导体中的Mn元素
机译:Ⅲ-Ⅴ族氮化物基稀磁半导体Ga_(1-x)Mn_xN的高能谱研究
机译:Ga_(1-x)Mn_xN稀磁膜中费米能级位置的确定
机译:通过X射线吸收近边缘结构光谱法探测Ga_(1-x)Mn_xN稀释磁半导体的Mn占用
机译:稀释的磁性半导体锌(1-x)钴(x)硒化物和锌(1-x)硒铁(x)的光散射研究。
机译:掺硼和氮的单壁碳纳米管可能是稀磁半导体
机译:稀磁半导体的电子结构 $ Ga_ {1-x} mn_ {x} N $和$ Ga_ {1-x} Cr_ {x} N $
机译:静水压下稀磁半导体的光致发光研究:Cd(1-x)mn(x)Te。