机译:射频等离子体增强化学气相沉积技术沉积的碳化硼(B_xC)薄膜的成分依赖性微观结构和光学性质
Bhabha Atom Res Ctr, Laser & Plasma Surface Proc Sect, Bombay 400085, Maharashtra, India;
Natl Ctr Composit Characterizat Mat, Hyderabad, Telangana, India;
Bhabha Atom Res Ctr, Div Solid State Phys, Bombay 400085, Maharashtra, India;
Bhabha Atom Res Ctr, Atom & Mol Phys Div, Bombay 400085, Maharashtra, India;
Bhabha Atom Res Ctr, Mech Met Div, Bombay 400085, Maharashtra, India;
Homi Bhabha Natl Inst, Bombay 400084, Maharashtra, India;
Carbides; Optical materials; Plasma deposition; X-ray diffraction;
机译:通过热线化学气相沉积由纯硅烷和甲烷气体沉积的碳化硅薄膜的压力依赖性结构和光学性质
机译:三甲基硼/硅烷比对射频等离子体增强化学气相沉积沉积p型纳米晶硅薄膜性能的影响
机译:等离子体增强化学气相沉积技术沉积四六方多型纳米晶碳化硅薄膜的结构和光学性质
机译:低成本大气压金属有机化学气相沉积技术沉积CD_XZN _((1-X))S薄膜的表面形态学性能(AP-MOCVD)
机译:使用直流等离子体等离子体增强化学气相沉积法合成化学计量的氢化非晶碳化硅薄膜。
机译:射频等离子体增强化学气相沉积(RF PECVD)反应器中样品高度对氮化硅薄膜光学性能和沉积速率的影响
机译:使用直流等离子体增强化学气相沉积(DC-PECVD)技术沉积的氢化非晶碳(a-C:H)薄膜的结构和光学性质