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Plasma Source and Method for depositing Thin Film Coatings by Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition

机译:等离子体源和通过等离子体增强化学气相沉积沉积薄膜涂层的方法

摘要

Innovative sources of advantageous in the technique of plasma Thin Film Coating and Methods for use. More specifically, the present Invention discloses novel linear plasma Sources and plasma produces two-dimensional linear and 2D, respectively, which are useful for Plasma activated Chemical Vapor Deposition.This also gives methods for the preparation of Coatings on Thin Film and Coating methods to increase the efficiencies of these methods.
机译:等离子薄膜涂层技术的创新来源和使用方法。更具体地讲,本发明公开了新颖的线性等离子体源,等离子体分别产生二维线性和二维,这对于等离子体活化化学气相沉积是有用的。这也提供了制备薄膜上的涂层的方法和增加涂层的方法。这些方法的效率。

著录项

  • 公开/公告号AR072911A1

    专利类型

  • 公开/公告日2010-09-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 AGC FLAT GLASS NORTH AMERICA INC.;

    申请/专利号AR2009P102991

  • 发明设计人

    申请日2009-08-04

  • 分类号H05H1/00;

  • 国家 AR

  • 入库时间 2022-08-21 18:47:28

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