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机译:分子束外延在其物理和电学性质的Srruo_3中磁通量控制阳离子计量的影响
Seoul Natl Univ Dept Mat Sci & Engn Seoul 08826 South Korea|Samsung Elect Co Ltd Semicond R&D Ctr Proc Dev Team Hwasung 18448 South Korea;
Samsung Adv Inst Technol Inorgan Mat Lab Suwon 16678 South Korea;
Samsung Adv Inst Technol Autonomous Mat Dev Lab Suwon 16678 South Korea;
Samsung Adv Inst Technol Autonomous Mat Dev Lab Suwon 16678 South Korea;
Samsung Adv Inst Technol Inorgan Mat Lab Suwon 16678 South Korea;
Samsung Elect Co Ltd Semicond R&D Ctr Proc Dev Team Hwasung 18448 South Korea;
Seoul Natl Univ Dept Mat Sci & Engn Seoul 08826 South Korea;
Crystal growth; Epitaxial growth; Thin films; Electrical properties;
机译:伽马辐射对分子束外延生长的稀GaAs1-xNx层电学性质的影响
机译:氢对等离子体辅助分子束外延生长的GaN的形貌和电学性能的影响
机译:Si(111)衬底上通过分子束外延生长的Au催化的GaAs纳米线的电学和光学性质
机译:生长后退火对分子束外延生长的β-MoO
机译:分子束液滴外延生长的纳米孔对二维电子气电学性质的影响。
机译:通过分子束外延生长在Si(111)衬底上生长的Au催化的GaAs纳米线的电和光学性质
机译:氢对等离子体辅助分子束外延生长的GaN的形貌和电学性能的影响
机译:用裂解膦分子束外延生长Inp的电学和光学性质