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机译:基于InGaAs / GaAs / InGaP异质结构的大功率半导体激光器的电光建模
III-V compounds and alloys; Semicondutor lasers; high power lasers; optoelectronics; quantum heteroestrtures;
机译:基于InGaAs / Algaas / GaAs异质结构的矩形谐振器中闭模形成的特定特征,高功率半导体激光器
机译:InGaAs-GaAs-InGaP分布反馈掩埋异质结构应变量子阱激光器,用于0.98微米大功率工作
机译:通过两步MOVPE生长的高功率InGaAs-GaAs-InGaP掩埋异质结构应变量子阱激光器
机译:0.98um InGaAs(P)/ InGaP / GaAs增宽的波导分离禁区异质结构量子阱二极管激光器的超大功率工作
机译:高功率铝的制造:用于光学泵浦的0.8微米至1.0微米的InGaAsP / InGaP / GaAs激光器
机译:基于InAs / InGaAs / GaAs量子点的超小型微盘和微环激光器
机译:高连续波输出功率InGaas / InGaasp / InGap二极管激光器:衬底误取向的影响
机译:大功率0.8微米InGaasp / InGap / Gaas激光二极管少数载流子漏电的理论研究