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机译:用于45 Nm节点及更高电子束直接写入的过程变化感知三维邻近效应校正
Fujitsu Microelectronics Limited, 50 Fuchigami, Akiruno, Tokyo 197-0833, Japan;
机译:针对45和32 nm节点的新电子束邻近效应校正方法
机译:通过10nm节点工艺的混合光学邻近效应校正建模和收缩校正技术提高光学邻近效应校正模型的准确性
机译:使用电子束直接写入光刻技术在超高密度互连结构上评估线成品率的45 nm节点后端
机译:使用多级区域密度图的接近效应校正,用于基于字符投影的电子束直接写入14 nm节点及以后
机译:亚微米电子束光刻的计算机可视化和邻近效应校正
机译:在银的直接电子束写入中向第三维方向发展
机译:分布式并行环境下三维自由表面晶格玻尔兹曼方法模拟的电子束熔化过程的电子束吸收算法