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机译:硅的等离子蚀刻工艺产生的表面粗糙度
Laboratoire des Technologies de la Microelectronique, CNRS-LTM, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex, France .;
机译:多重内反射几何学中红外表面吸收光谱法对硅表面电化学刻蚀过程的原位观察红外抗体对硅表面电化学刻蚀过程的原位观察
机译:在硅表面上反射地质素 - 原位硅表面蚀刻工艺中的电化学蚀刻过程的原位观察硅表面蚀刻的电化学蚀刻工艺
机译:低压等离子刻蚀过程的多尺度建模:将等离子反应器的运行参数与表面粗糙度演变联系起来
机译:在Fowler-nordheim的逐步湿法蚀刻期间氧化物表面粗糙度在彼得·诺德海姆的逐步湿法蚀刻型二氧化硅薄膜期间循环湿法施用氮二氧化硅膜表面粗糙度
机译:在感应耦合等离子体反应器中研究碳氟化合物沉积和蚀刻对硅和二氧化硅蚀刻工艺的影响(使用三氟化甲基),并开发了用于研究等离子体与表面相互作用机理的反应离子束系统。
机译:氢氧化四甲铵/异丙醇湿法刻蚀对AFM光刻制备的硅纳米线的几何形状和表面粗糙度的影响
机译:硅腐蚀中使用的混合气体等离子体中化学过程的建模。第1部分:CF4 / O2用于蚀刻硅的气态混合物等离子体中化学过程的建模。第1部分:CF4 / O2