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机译:极紫外光刻掩模上的光化成像和相结构评估
Lawrence Berkeley National Laboratory, Berkeley, California 94720;
Lawrence Berkeley National Laboratory, Berkeley, California 94720;
Samsung Electronics Co. Ltd., Ban-Wol, Hwasung, Kyunggi, Korea 445-701;
机译:宽带紫外线照射下光化检查表征极端紫外线光刻掩模缺陷
机译:具有吸收剂图案的极紫外光刻掩模的光化相缺陷检测
机译:使用极紫外显微镜评估多层相缺陷上的极紫外光刻掩模吸收体图案
机译:极端紫外线光刻中新型减振相移掩模结构的建议 - (PPT)
机译:台式,全视野,光化显微镜,用于极端紫外线光刻掩模表征。
机译:帕金森氏病患者的苍白球的内部结构:相差增强成像评估
机译:极端紫外线光刻掩模坯料中相缺陷的修复
机译:光化掩模成像:sHaRp EUV显微镜的最新结果和未来方向。会议:极紫外(EUV)光刻V,加利福尼亚州圣何塞,2014年2月23日;相关信息:期刊出版日期:2014年4月17日。