机译:毫秒退火中超浅结激活的光反射特性
Xitronix Corporation, 3925 W. Broker Lane, Third Floor, Austin, Texas 78759;
Current Scientific, 1729 Comstock Way, San Jose, California 95124;
International Sematech Manufacturing Initiative, 257 Fuller Road, Ste. 2200, Albany, New York 12203;
机译:热等离子体射流辐照在毫秒退火过程中超浅结中B和As的活化
机译:高功率密度热等离子体射流诱导的硅晶圆毫秒快速热退火及其在超浅结形成中的应用
机译:使用毫秒闪光退火的低电阻,低泄漏,超浅p {sup} +-结形成
机译:激光退火植入的超浅结附近的残余植入诱导缺陷的电学特征
机译:超浅结形成过程中晶体硅中砷和氟行为的首要原理建模。
机译:SiGe P沟道NiSiGe肖特基结的微波退火
机译:低复杂度全熔体激光退火工艺制造低泄漏注入的超浅结
机译:用于半导体生长和加工的原位研究和表征的光反射率