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Symposium Proceedings vol.912; Symposium on Doping Engineering for Device Fabrication; 20060418-19; San Francisco,CA(US)
Symposium Proceedings vol.912; Symposium on Doping Engineering for Device Fabrication; 20060418-19; San Francisco,CA(US)
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1.
Room Temperature Boron Diffusion in Amorphous Silicon
机译:
室温硼在非晶硅中的扩散
作者:
Jeannette M. Jacques
;
Kevin S. Jones
;
Mark E. Law
;
Lance S. Robertson
;
Leonard M. Rubin
;
Enrico Napolitani
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.912; Symposium on Doping Engineering for Device Fabrication; 20060418-19; San Francisco,CA(US)》
|
2006年
2.
Ge Out-Diffusion and its Effect on Electrical Properties in s-Si/SiGe Devices
机译:
s-Si / SiGe器件中的扩散及其对电性能的影响
作者:
Suresh Uppal
;
Mehdi Kanoun
;
Sanatan Chattopadhyay
;
Rimoon Agaiby
;
Sarah H. Olsen
;
Steve J. Bull
;
Anthony ONeill
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.912; Symposium on Doping Engineering for Device Fabrication; 20060418-19; San Francisco,CA(US)》
|
2006年
3.
Analysis and Optimisation of New Implantation and Activation Mechanisms in Ultra Shallow Junction Implants Using Scanning Spreading Resistance Microscopy (SSRM)
机译:
扫描扩展阻力显微镜(SSRM)分析和优化超浅结植入物中新的植入和激活机制
作者:
Pierre Eyben
;
Simone Severi
;
Ray Duffy
;
Bartek Pawlak
;
Emmanuel Augendre
;
Wilfried Vandervorst
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.912; Symposium on Doping Engineering for Device Fabrication; 20060418-19; San Francisco,CA(US)》
|
2006年
4.
Modeling and Simulation of the Influence of SOI Structure on Damage Evolution and Ultra-Shallow Junction Formed by Ge Preamorphization Implants and Solid Phase Epitaxial Regrowth
机译:
SOI结构对Ge预非晶化植入物和固相外延生长形成的损伤演化和超浅结的影响的建模和仿真
作者:
K. R. C. Mok
;
B. Colombeau
;
M. Jaraiz
;
P. Castrillo
;
J. E. Rubio
;
R. Pinacho
;
M. P. Srinivasan
;
F. Benistant
;
I. Martin-Bragado
;
J. J. Hamilton
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.912; Symposium on Doping Engineering for Device Fabrication; 20060418-19; San Francisco,CA(US)》
|
2006年
5.
Ab-Initio Study of Boron Diffusion Retardation in Sil-xGex
机译:
Sil-xGex中硼扩散延迟的从头算研究
作者:
Yonghyun Kim
;
Taras A. Kirichenko
;
Sanjay K. Banerjee
;
Gyeong S. Hwang
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.912; Symposium on Doping Engineering for Device Fabrication; 20060418-19; San Francisco,CA(US)》
|
2006年
6.
Defect Evolution During Laser Annealing
机译:
激光退火过程中的缺陷发展
作者:
Susan B. Felch
;
Abhilash Mayur
;
Vijay Parihar
;
Faran Nouri
;
Kevin S. Jones
;
Daniel E. Zeenberg
;
Britta E. Jones
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.912; Symposium on Doping Engineering for Device Fabrication; 20060418-19; San Francisco,CA(US)》
|
2006年
7.
PN Junction Formation for High-Performance Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT); Double-Pulsed Green Laser Annealing Technique
机译:
高性能绝缘栅双极晶体管(IGBT)的PN结形成;双脉冲绿色激光退火技术
作者:
Toshio Joshua Kudo
;
Naoki Wakabayashi
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.912; Symposium on Doping Engineering for Device Fabrication; 20060418-19; San Francisco,CA(US)》
|
2006年
8.
Germanium Carbon Co-Implantation for Enhanced Short Channel Effect Control in PMOS Devices
机译:
锗和碳共注入增强PMOS器件的短沟道效应控制
作者:
Benjamin Dumont
;
Arnaud Pouydebasque
;
Bartek Pawlak
;
Benjamin Oudet
;
Dominique Delille
;
Frederic Milesi
;
Kader Souifi
;
Thomas Skotnicki
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.912; Symposium on Doping Engineering for Device Fabrication; 20060418-19; San Francisco,CA(US)》
|
2006年
9.
Enhanced Activation of Standard and Cocktail Spike Annealed Junctions with Additional Sub-Melt Laser Anneal
机译:
通过附加的亚熔体激光退火增强了标准和鸡尾酒尖峰退火连接的激活
作者:
Simone Severi
;
Emmanuel Augendre
;
Bartek Pawlak
;
Pierre Eyben
;
Taiji Noda
;
Susan Felch
;
Annelies Falepin
;
Vijay Parihar
;
Robert Schreutelkamp
;
Wilfried Vandervorst
;
Kristin De Meyer
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.912; Symposium on Doping Engineering for Device Fabrication; 20060418-19; San Francisco,CA(US)》
|
2006年
10.
Ultra Shallow Junctions Optimization with Non Doping Species Co-Implantation
机译:
非掺杂物种共注入的超浅结优化
作者:
Nathalie Cagnat
;
Cyrille Laviron
;
Daniel Mathiot
;
Blandine Duriez
;
Julien Singer
;
Romain Gwoziecki
;
Frederic Salvetti
;
Benjamin Dumont
;
Arnaud Pouydebasque
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.912; Symposium on Doping Engineering for Device Fabrication; 20060418-19; San Francisco,CA(US)》
|
2006年
11.
Modeling and Experiments of Boron Diffusion During Sub-Millisecond Non-Melt Laser Annealing in Silicon
机译:
硅中亚毫秒非熔融激光退火过程中硼扩散的建模与实验
作者:
Taiji Noda
;
Susan Felch
;
Vijay Parihar
;
Christa Vrancken
;
Tom Janssens
;
Hugo Bender
;
Wilfried Vandervorst
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.912; Symposium on Doping Engineering for Device Fabrication; 20060418-19; San Francisco,CA(US)》
|
2006年
12.
Millisecond Annealing: Past, Present and Future
机译:
毫秒级退火:过去,现在和未来
作者:
Paul Timans
;
Jeff Gelpey
;
Steve McCoy
;
Wilfried Lerch
;
Silke Paul
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.912; Symposium on Doping Engineering for Device Fabrication; 20060418-19; San Francisco,CA(US)》
|
2006年
13.
Thermally Induced Deformation and Stresses During Millisecond Flash Lamp Annealing
机译:
毫秒闪光灯退火过程中的热诱导变形和应力
作者:
Mark P. Smith
;
Keith A. Seffen
;
Richard A. McMahon
;
Wolfgang Anwand
;
Wolfgang Skorupa
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.912; Symposium on Doping Engineering for Device Fabrication; 20060418-19; San Francisco,CA(US)》
|
2006年
14.
Issues and Optimization of Millisecond Anneal Process for 45 nm Node and Beyond
机译:
45 nm及以上节点毫秒级退火工艺的问题和优化
作者:
Kanna Adachi
;
Kazuya Ohuchi
;
Nobutoshi Aoki
;
Hideji Tsujii
;
Takayuki Ito
;
Hiroshi Itokawa
;
Koji Matsuo
;
Honguh Yoshinori
;
Naoki Tamaoki
;
Kazunari Ishimaru
;
Hidemi Ishiuchi
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.912; Symposium on Doping Engineering for Device Fabrication; 20060418-19; San Francisco,CA(US)》
|
2006年
15.
Deactivation of Ultra Shallow B and BF2 Profiles After Non-Melt Laser Annealing
机译:
非熔融激光退火后超浅B和BF2轮廓的失活
作者:
James A. Sharp
;
Nicholas E.B. Cowern
;
Roger P. Webb
;
Damiano Giubertoni
;
Salvotore Gennaro
;
Massimo Bersani
;
Majeed A. Foad
;
Karen J. Kirkby
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.912; Symposium on Doping Engineering for Device Fabrication; 20060418-19; San Francisco,CA(US)》
|
2006年
16.
The Behavior of Ion Implanted Silicon During Ultra-High Temperature Annealing
机译:
离子注入硅在超高温退火过程中的行为
作者:
Amitabh Jain
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.912; Symposium on Doping Engineering for Device Fabrication; 20060418-19; San Francisco,CA(US)》
|
2006年
17.
Effect of B Dose and Ge Preamorphization Energy on the Electrical and Structural Properties of Ultrashallow Junctions in Silicon-on-Insulator
机译:
B剂量和Ge预非晶化能量对绝缘体上硅中超浅结的电和结构性质的影响
作者:
Justin J Hamilton
;
Erik JH Collart
;
Benjamin Colombeau
;
Massimo Bersani
;
Damiano Giubertoni
;
Max Kah
;
Nicholas EB Cowern
;
Karen J Kirkby
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.912; Symposium on Doping Engineering for Device Fabrication; 20060418-19; San Francisco,CA(US)》
|
2006年
18.
Accurate Sheet Resistance Measurement on Ultra-Shallow Profiles
机译:
在超浅轮廓上的精确薄层电阻测量
作者:
Trudo Clarysse
;
Alain Moussa
;
Frederik Leys
;
Roger Loo
;
Wilfried Vandervorst
;
Mark C. Benjamin
;
Robert J. Hillard
;
Vladimir N. Faifer
;
Michael I. Current
;
Rong Lin
;
Dirch H. Petersen
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.912; Symposium on Doping Engineering for Device Fabrication; 20060418-19; San Francisco,CA(US)》
|
2006年
19.
Mechanisms for Interstitial-Mediated Transient Enhanced Diffusion of N-Type Dopants
机译:
间隙介导的N型掺杂物瞬态增强扩散的机制
作者:
Scott A. Harrison
;
Thomas F. Edgar
;
Gyeong S. Hwang
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.912; Symposium on Doping Engineering for Device Fabrication; 20060418-19; San Francisco,CA(US)》
|
2006年
20.
Interaction Between Low Temperatures Spacers and Source Drain Extensions and Pockets for Both NMOS and PMOS of the 65 nm Node Technology
机译:
65 nm节点技术的NMOS和PMOS的低温隔离物与源极漏极扩展和腔之间的相互作用
作者:
Nathalie Cagnat
;
Cyrille Laviron
;
Daniel Mathiot
;
Pierre Morin
;
Frederic Salvetti
;
Davy Villanueva
;
Marc Juhel
;
Marco Hopstaken
;
Francois Wacquant
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.912; Symposium on Doping Engineering for Device Fabrication; 20060418-19; San Francisco,CA(US)》
|
2006年
21.
Integration of Solid Phase Epitaxial Re-Growth, Flash and Sub-Melt Laser Annealing for S/D Junctions in CMOS Digital Technology
机译:
CMOS数字技术中用于S / D结的固相外延再生,闪光和亚熔体激光退火的集成
作者:
Simone Severi
;
Emmanuel Augendre
;
Kristin De Meyer
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.912; Symposium on Doping Engineering for Device Fabrication; 20060418-19; San Francisco,CA(US)》
|
2006年
22.
The Carbon Co-Implant with Spike RTA Solution for Phosphorus Extension
机译:
与Spike RTA解决方案的碳共植入物,用于磷的扩展
作者:
Bartek J. Pawlak
;
Ray Duffy
;
Emmanuel Augendre
;
Simone Severi
;
Tom Janssens
;
Philippe Absil
;
Wilfried Vandervorst
;
Erik Collart
;
Susan Felch
;
Robert Schreutelkamp
;
Nick Cowern
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.912; Symposium on Doping Engineering for Device Fabrication; 20060418-19; San Francisco,CA(US)》
|
2006年
23.
Enhanced Antimony Activation for Ultra-Shallow Junctions in Strained Silicon
机译:
应变硅中超浅结的增强锑激活
作者:
N. S. Bennett
;
A. J. Smith
;
C. S. Beer
;
L. OReilly
;
B. Colombeau
;
G. D. Dilliway
;
R. Harper
;
P. J. McNally
;
R. Gwilliam
;
N. E. B. Cowern
;
B. J. Sealy
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.912; Symposium on Doping Engineering for Device Fabrication; 20060418-19; San Francisco,CA(US)》
|
2006年
24.
The Carbon Co-Implant with Spike RTA Solution for Boron Extension
机译:
带有Spike RTA解决方案的碳共植入物,用于硼扩展
作者:
Bartek J. Pawlak
;
Emmanuel Augendre
;
Simone Severi
;
Pierre Eyben
;
Tom Janssens
;
Annelies Falepin
;
Philippe Absil
;
Wilfried Vandervorst
;
Susan Felch
;
Erik Collart
;
Robert Schreutelkamp
;
Nick Cowern
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.912; Symposium on Doping Engineering for Device Fabrication; 20060418-19; San Francisco,CA(US)》
|
2006年
25.
Electrical Characterization of Residual Implantation-Induced Defects in the Vicinity of Laser-Annealed Implanted Ultrashallow Junctions
机译:
激光退火植入的超浅结附近的残余植入诱导缺陷的电学特征
作者:
V. Gonda
;
S. Liu
;
T.L.M. Scholtes
;
L.K. Nanver
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.912; Symposium on Doping Engineering for Device Fabrication; 20060418-19; San Francisco,CA(US)》
|
2006年
26.
Effect of Varying Dwell Time During Non-Melt Laser Annealing of Boron Implanted Silicon
机译:
硼注入硅非熔融激光退火过程中停留时间变化的影响
作者:
Daniel E Zeenberg
;
Kevin S Jones
;
Susan B Felch
;
Vijay Parihar
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.912; Symposium on Doping Engineering for Device Fabrication; 20060418-19; San Francisco,CA(US)》
|
2006年
27.
Impurity Solubility and Redistribution Due to Recrystallization of Preamorphized Silicon
机译:
由于预非晶硅的重结晶而导致的杂质溶解度和重新分布
作者:
Ray Duffy
;
Vincent Venezia
;
Marco Hopstaken
;
Geert Maas
;
Thuy Dao
;
Yde Tamminga
;
Fred Roozeboom
;
Karel van der Tak
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.912; Symposium on Doping Engineering for Device Fabrication; 20060418-19; San Francisco,CA(US)》
|
2006年
28.
Physical Modeling of Defects, Dopant Activation and Diffusion in Aggressively Scaled Bulk and SOI Devices: Atomistic and Continuum Approaches
机译:
积极规模化的块体和SOI器件中缺陷,掺杂剂激活和扩散的物理建模:原子和连续方法
作者:
Victor Moroz
;
Ignacio Martin-Bragado
会议名称:
《Symposium Proceedings vol.912; Symposium on Doping Engineering for Device Fabrication; 20060418-19; San Francisco,CA(US)》
|
2006年
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