机译:As_4在(411)A GaAs衬底上IN_0.08Ga_0.92As / GaAs超晶格分子束外延过程中铟原子表面偏析的压力依赖性
机译:(n 11)A GaAs衬底上InGaAs / GaAs超晶格分子束外延过程中铟原子的表面偏析
机译:Ga_P在(411)A GaAs衬底上分子束外延过程中As_4分子表面迁移长度的Ⅴ/Ⅲ比依赖性
机译:(411)A GaAs衬底上GaAsP分子束外延过程中As原子表面迁移的衬底温度依赖性
机译:在411 A GaAs衬底上GaAsP分子束外延过程中As / sub 4 /分子表面迁移长度的砷压力依赖性
机译:InAs / GaAs短周期应变层超晶格的分子束外延生长。
机译:GaAs衬底上分子束外延生长的中波和长波InAs / GaSb超晶格的电学性质
机译:在高频应用中,在成核量子点阈值以下和附近的InAs层厚度下,调制掺杂N-AlGaAs /(InAs / GaAs)/ GaAs超晶格的分子束外延