机译:金属和氮化物薄膜的原子层沉积:半导体器件加工的当前研究成果和应用
IBM T.J. Watson Research Center, Yorktown Heights, New York 10598;
机译:在4H-SiC上用于金属绝缘体半导体的Al_2O_3薄膜的原子层沉积
机译:高度保形锡氮化物薄膜的低温原子层沉积,用于储能装置
机译:在TaN /原子层沉积-生长的HfAlO /化学氧化物/ Si结构的金属氧化物半导体器件中,使用尖峰退火降低界面层厚度和漏电流
机译:金属电极氮化铌和铌氮化硅薄膜的原子层沉积
机译:从新的工艺到行业相关应用:金属,金属氧化物和金属碳化物薄膜的原子层沉积
机译:InGaAs上Al2O3原子层沉积的初始过程:界面形成机理及其对金属-绝缘体-半导体器件性能的影响
机译:原子层沉积生长的氧化铜和铜薄膜,用于微电子器件的金属化系统