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机译:反应性溅射沉积Ta-N薄膜作为Ag金属化扩散阻挡层的有效性
Department of Physics, University of the Western Cape, Private Bag X17, Bellville 7535, South Africa;
机译:直流磁控管,III-V半导体金属化中扩散阻挡层的反应溅射TiNx膜的特性
机译:直流反应溅射(Ti,Zr)N薄膜作为铜金属扩散阻挡层的特性
机译:互补金属氧化物半导体硅存储节点电极扩散势垒反应溅射Ti_(1-x)Al_xN薄膜的性能
机译:反应溅射TiN扩散阻挡膜的银金属化
机译:微观结构 和组成 的可调性 在 溅射沉积 过渡金属 碳化物 薄膜 使用 超低 反应 气体压力 和2D 层
机译:SiNx扩散阻挡层厚度对溶胶-凝胶浸涂和反应磁控溅射获得的TiO2薄膜的结构性能和光催化活性的影响
机译:反应性磁控溅射沉积的Ti(C,N)纳米复合薄膜:组成和热稳定性
机译:反应溅射W-N薄膜作为Gaas金属化中的扩散障碍