机译:缓和梯度InGaP在金属有机气相外延中的微结构缺陷:分支缺陷的起源和工程
MIT, Dept Mat Sci & Engn, Cambridge, MA 02139 USA;
LIGHT-EMITTING-DIODES; THREADING DISLOCATION DENSITIES; STRAIN-RELAXATION; LAYERS; GROWTH; SI; ROUGHNESS; EVOLUTION; GAINP; GAAS;
机译:金属有机气相外延生长的GaNA中深层缺陷的起源和退火
机译:在金属有机气相外延生长的(In_xAl_(1-x))N层中存在的V缺陷的性质和起源是InN含量,层厚度和生长参数的函数
机译:射频溅射沉积的ALN空置缺陷的退火行为和使用单高电香束研究的金属机蒸汽相外延
机译:通过金属有机气相外延研究在Si(1 1 1)衬底上生长的InGaN / GaN多量子阱中的缺陷结构
机译:金属有机气相外延制备稀土掺杂磷化铟和磷化铟镓合金的缺陷结构
机译:有机金属气相外延过程中GaN(0001)和(000-1)的CH4吸附概率及其与膜中碳污染的关系
机译:错误:''通过金属机气相外延沉积在(110)GaAs上沉积在(110)GaAs上的ZnTe层的不均匀应变弛豫和缺陷分布J。苹果。物理。 78,229(1995)
机译:金属有机气相外延1986.金属有机气相外延国际会议论文集(第3期)于1986年4月13日至17日在加利福尼亚州环球城举行