公开/公告号CN101109074B
专利类型发明专利
公开/公告日2010-12-15
原文格式PDF
申请/专利权人 应用材料股份有限公司;
申请/专利号CN200710128087.0
申请日2007-07-09
分类号
代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司;
代理人徐金国
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 09:05:37
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-09-02
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C 16/40 授权公告日:20101215 终止日期:20140709 申请日:20070709
专利权的终止
2012-01-18
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):C23C 16/40 变更前: 变更后: 申请日:20070709
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2010-12-15
授权
授权
2008-03-12
实质审查的生效
实质审查的生效
2008-01-23
公开
公开
机译: 用硅和有机前驱物减少无缺陷初始层的PECVD工艺中减少气相反应的方法
机译: 用硅和有机前驱物减少无缺陷初始层的PECVD工艺中减少气相反应的方法
机译: 减少在PECVD工艺中与硅和有机前体的气相反应以沉积无缺陷的初始层的方法