机译:使用聚焦离子束和平面透射电子显微镜作为参考计量学的先进半导体特征的线宽粗糙度
University of Tokyo, Department of Precision Engineering, Tokyo, Japan;
University of Tokyo, Department of Precision Engineering, Tokyo, Japan;
Hitachi High-Technologies Corp., Hitachinaka-shi, Japan;
Hitachi High-Technologies Corp., Hitachinaka-shi, Japan;
linewidth roughness; power spectral density; fin-shped field-effect transistor; extreme ultraviolet; planar-transmission electron microscope; critical dimension scanning electron microscope;
机译:聚焦离子束与200 keV透射电子显微镜接口,用于在半导体上进行原位微图案化
机译:从微加工到自组织微结构的双束聚焦离子束/电子显微镜处理和离子-表面3D交互过程中的重新沉积计量
机译:聚焦电子束激发的Y 2 sub> O 3 sub>:Eu 3 + sup>荧光粉薄膜中阴极发光的纳米光斑用于高分辨率光学显微镜
机译:以FIB和Planar-TEM为参考度量的先进半导体功能的线宽粗糙度
机译:使用聚焦离子束技术制造先进的半导体激光器和其他光电器件。
机译:连续梁透射电子显微镜中的Attosecond Metrology
机译:使用聚焦离子束扫描电子显微镜(FIB-SEM)和3Mv超高压电子显微镜(UHVEM)层析成像技术在全细胞水平上对纳米粒子的有丝分裂进行三维微观结构可视化
机译:标准参考材料:抗反射 - 铬线宽标准sRm473,用于校准光学显微镜线宽测量系统