机译:取代酞菁衍生物的纺丝薄膜中的负微分电阻效应
Solid State Physics Department, Indian Association for the Cultivation of Science, Jadavpur, Kolkata 700032, India;
rnAir Force Research Laboratory, 3550 Aberdeen Avenue, SE Kirtland AFB, Albuquerque, NM 87117, USA;
rnSchool of Chemical Sciences & Pharmacy, University of East Anglia, Earlham Road, Norwich NR4 7TJ, UK;
rnDepartment of Materials, Queen Mary, University of London, London E1 4NS, UK;
机译:取代酞菁衍生物的纺丝薄膜中的负微分电阻效应
机译:镍八溴丁氧基酞菁和镍八溴酰甲基酞菁/石墨烯氧化物超薄薄膜负差异耐药性
机译:La和Mg共取代的BiFeO_3薄膜中氧空位介导的负微分电阻
机译:四苯基卟啉衍生物和混合取代的酞菁衍生物的Langmuir-Blodgett膜的光学性质
机译:由扩散受限的氧化还原反应介导的水合脱氧核糖核酸薄膜的负微分电阻。
机译:在HIV整合酶的不同亚型中G118RH51Y和E138K耐药性替代的差异作用
机译:氧空位介导的La和mg中的负微分电阻 共取代的BiFeO3薄膜
机译:金属取代的枯基苯氧基酞菁作为气敏半导体薄膜。