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公开/公告号CN110518116B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-08-10
原文格式PDF
申请/专利权人 武汉理工大学;
申请/专利号CN201910721523.8
发明设计人 孙志刚;于涵;何雄;张孔斌;杨振;王嘉赋;
申请日2019-08-06
分类号H01L43/08(20060101);
代理机构42102 湖北武汉永嘉专利代理有限公司;
代理人崔友明
地址 430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号
入库时间 2022-08-23 12:17:00
机译: 具有负微分电阻特性的半导体量子效应器件
机译:具有不同过渡金属原子的P_2TA-O_2基分子结中的自旋滤波,巨磁阻,负微分电阻效应和自旋逻辑门
机译:基于单壁竹形碳纳米管的分子器件的负微分电阻和开关特性:研究纳米器件设计的第一性原理
机译:基于雪崩分解的负差分抗性和不饱和磁阻效应
机译:基于负微分电阻器件的射频蔡氏振荡器的数值研究
机译:晶体管电路中的负微分电阻(非线性,器件,化合物,SCR建模,电阻多端口)。
机译:原子层沉积在Ru基RRAM器件中的负微分电阻效应
机译:具有石墨烯纳米带电极的一维单分子磁体mn(dmit)2基器件的高效自旋滤波,磁阻和负微分电阻效应
机译:实空间转移的集合蒙特卡罗模拟(NERFET /正泰)(负差分电阻场效应晶体管/电荷注入晶体管)器件