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机译:原子层沉积法生长ZrO_2和HfO_2的电学和微观结构特征比较研究
Department of Advanced Materials Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon 440-746, Korea;
机译:HfO_2,ZrO_2和A1_2O_3在羟基化和硫钝化的GaAs(100)表面原子层沉积中的表面反应:密度泛函理论的比较研究
机译:使用远程和直接等离子体原子层沉积方法生长的HfO_2栅极电介质的组成,结构和电特性
机译:等离子增强原子层沉积和射频溅射技术在1-T FeFET中应用的HfO_2的结构电介质和铁电性能的比较研究
机译:原子层沉积生长的超薄高K介质:ZrO_2,HfO_2,Y_2O_3和A1_2O_3的比较研究
机译:通过原子层沉积生长的纳米级氧化锆和氧化f电介质:结晶度,界面结构和电性能。
机译:组成界面和沉积顺序对原子层沉积在硅上生长的纳米Ta2O5-Al2O3薄膜电学性能的影响
机译:用原子层沉积在硅上生长的纳米制剂Ta2O5-Al2O3薄膜电性能的作用,界面和沉积序列