机译:使用反射电子能量损失谱检测低k和高k电介质中的表面电子缺陷状态
Ocotillo Materials Laboratory, Intel Corporation, Chandler, Arizona 85248;
Logic Technology Development, Intel Corporation, Hillsboro, Oregon 97124;
机译:使用反射电子能量损耗光谱法检测低k电介质中的缺陷状态
机译:过渡金属铝酸盐作为高k栅极电介质的电子结构和电子能量损失谱(EELS)的第一性原理研究
机译:光谱光发射和低能电子显微镜在高k栅极介电材料中的应用:Hf硅化物形成过程中表面形态与电子态之间的关系
机译:高k电介质材料中的泄漏电流与零偏置热激发电流光谱仪检测到的电子缺陷状态之间的相关性的工程意义
机译:用反射电子能量损失谱研究立方氮化硼(111)表面的低能离子轰击。
机译:范德华纳米电子的可激光写入的高k电介质
机译:通过分析定量X射线光电子能谱(XPS)和反射电子能量损失能谱(REELS)分析材料(聚合物,导体和氧化物)的电子和光学性质
机译:能量依赖的电子能量损失光谱:mgO的表面和体电子结构的应用