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机译:使用反射电子能量损耗光谱法检测低k电介质中的缺陷状态
Logic Technology Development, Intel Corporation, Hillshoro, Oregon 97124, USA;
Ocotillo Materials Laboratory, Intel Corporation, Chandler, Arizona 85248, USA;
Logic Technology Development, Intel Corporation, Hillshoro, Oregon 97124, USA;
机译:使用反射电子能量损失谱检测低k和高k电介质中的表面电子缺陷状态
机译:以电子能量损失谱为特征的低k层间介电材料的介电响应
机译:(0001),(1013)GaN单晶和无序表面的介电响应函数通过反射电子能量损失谱研究
机译:等离子体缺陷能量损失电子对多晶硅缺陷,栅介电层和硅纳米晶体的能量过滤成像
机译:通过同时使用原位反射高能电子衍射(RHEED)和反射电子能量损失谱(REELS)来表征MBE生长的金属,半导体和超导体薄膜和界面
机译:直接检测电子能量损失谱:一种突破分辨率和灵敏度极限的方法
机译:用反射电子能量损失谱研究了mgO薄膜的带隙和缺陷态
机译:用aEs(俄歇电子能谱),Xps(诱导光电子能谱),EELs(电子能量损失谱)和LEED(低能电子衍射)研究Fe-si合金的初始氧化