机译:通过等离子体增强化学气相沉积法生长的SiN_x / Si非晶多层结构的光致发光特性
Instituto de Investigaciones en Materiales, Universidad Nacional Autonoma de Mexico, Ciudad Universitaria, A.P. 70-360, Coyoacan 04510, D.F., Mexico;
silicon nanoclusters; PECVD; silicon nitride; multilayer; photoluminescence;
机译:等离子增强化学气相沉积法生长SiN_x / Si非晶多层结构的光学和形态学性质
机译:通过等离子体增强化学气相沉积法生长的Tb〜(3+)掺杂SiN_x薄膜的光致发光
机译:通过在极低的压力下通过等离子体增强化学气相沉积法生长的SiN / SiCN / SiN纳米层压多层薄膜的长期稳定的水蒸气渗透阻挡性能
机译:快速热化学气相沉积生长氢化非晶SiN_x:H薄膜的研究
机译:晶格匹配的III-V / IV组半导体异质结构:金属有机化学气相沉积和远程等离子体增强化学气相沉积。
机译:CVD石墨烯上等离子增强化学气相沉积法制备的无转移反型石墨烯/硅异质结构
机译:离子轰击能量通量对自由基注入等离子体增强化学气相沉积生长的化学成分对化学成分的影响和氢化非晶碳膜的结构
机译:通过远程等离子体增强化学气相沉积(远程pECVD)生长的非晶硅合金中缺陷产生的基础研究。年度分包合同报告,1990年9月1日 - 1991年8月31日