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机译:双层Ti / Si势垒金属用于氧化物半导体TFT的四掩模工艺的简化
Kobe Steel Ltd., Electronics Research Laboratory, 1-5-5 Takatsukadai, Nishi-ku, Kobe 651-2271, Japan;
Kobe Steel Ltd., Electronics Research Laboratory, 1-5-5 Takatsukadai, Nishi-ku, Kobe 651-2271, Japan;
Kobe Steel Ltd., Electronics Research Laboratory, 1-5-5 Takatsukadai, Nishi-ku, Kobe 651-2271, Japan;
Kobe Steel Ltd., Electronics Research Laboratory, 1-5-5 Takatsukadai, Nishi-ku, Kobe 651-2271, Japan;
oxide TFT; barrier layer; back-channel-etch-type TFT; four-mask process;
机译:双层Ti / Si阻挡金属对氧化物半导体TFT的四掩膜工艺的简化
机译:使用Ru正沟道金属氧化物半导体和TaC负沟道金属氧化物半导体栅电极的双金属栅集成互补金属氧化物半导体工艺方案
机译:通过12/25/5/40 V双极互补金属氧化物半导体双扩散金属氧化物半导体工艺制造450 V额定绝缘体上硅横向双扩散金属氧化物半导体工艺体硅基板
机译:用于透明薄膜晶体管(TFT)应用的高迁移率非晶氧化物半导体:金属化选择和TFT器件性能
机译:在半导体工艺中氧化去除注入的光刻胶和势垒金属
机译:无碳固溶金属氧化物TFT的简单可靠的直接构图方法
机译:通过双层Ti / Si阻挡金属用于氧化物半导体TFT的四个掩模过程的促进