用于TFT的金属氧化物半导体的缓冲层

摘要

本发明大致关于一种薄膜半导体器件，所述器件具有形成于半导体层与一个或更多个层之间的缓冲层。在一实施方式中，薄膜半导体器件包括：半导体层，具有第一功函数及第一电子亲和力水平；缓冲层，具有比第一功函数更大的第二功函数及比第一电子亲和力水平更低的第二电子亲和力水平；以及栅介电层，具有比第二功函数更小的第三功函数及比第二电子亲和力水平更高的第三电子亲和力水平。