机译:等温封闭空间升华法生长Cd_(1-x)Zn_xTe外延层
A3. Vapor phase epitaxy; B1. Alloys; B2. Semiconducting Ⅱ-Ⅵ materials;
机译:平板X射线探测器多晶Cd_(1-x)Zn_xTe厚膜的近距离升华生长和表征
机译:等温封闭空间升华法生长ZnSe_(1-x)Te_x外延层
机译:封闭空间升华制备的CD_(1-X)SN_X TE薄膜的研究
机译:热处理对近距离升华沉积Cd_(1-x)Zn_xTe薄膜的影响
机译:通过近空间升华研究碲化镉(111)外延生长
机译:等温近空间升华用于II-VI半导体填充多孔基质
机译:通过闭合空间升华法生长Aggate2层
机译:真空蒸发CaF2上Ca(x)sr(1-x)F2层的外延生长