机译:衬底极性对GaAs(111)A和(111)B表面上低温GaN缓冲层生长的影响
Department of Applied Chemistry, Faculty of Technology, Tokyo University of Agriculture and Technology, Koganei, Tokyo 184-8588, Japan;
A1. crystal structure; A3. vapor phase epitaxy; B1. nitrides; B2. semiconducting Ⅲ―Ⅴ materials;
机译:通过氢化物气相外延直接在Si(111)上具有低温GaN缓冲层的GaN生长
机译:通过氢化物气相外延直接在Si(111)上具有低温GaN缓冲层的GaN生长
机译:GaAs(111)A和(111)B表面生长的GaN缓冲层的比较
机译:1/3 ML锡/锗(111)和1/3 ML铅/锗(111)表面的低温相变的原子尺度结构研究。
机译:使用不同缓冲层配置的200mm硅(111)衬底上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管结构研究
机译:使用多个缓冲层在si(111)衬底上生长GaN外延层
机译:Gaas(001)衬底取向偏向(111)对In(x)Ga(1-x)as / Gaas光学性质的影响