机译:InAs / GaAs量子点异质结构中InAs覆盖率变化的双峰尺寸分布演变
Quantum Dot Technology Laboratory, Materials Evaluation Center, Korea Research Institute of Standards and Science, P.O. Box 102, Yusong, Daejeon 305-600, South Korea;
A1. low-dimensional structures; A1. photoluminescence; A1. bimodal size-distribution; A3. molecular beam epitaxy; A3. self-assembled quantum dots; B1. indium arsenide;
机译:n-InAs / GaAs和InAs / n-GaAs量子点异质结构中的光致发光和光响应强度之间的差异
机译:使用减小的InAs覆盖率来提高InAs / GaAs量子点太阳能电池的开路电压
机译:InAs覆盖率不同的InAs / GaAs量子点红外光电探测器的跃迁机理
机译:详细研究单层覆盖变异对INAS / GaAs多层量子点异质结构的光学性质的影响
机译:混合尺寸INAS / GAAS系统宽带超快光谱=混合尺寸INAS / GAAS系统的宽带超快光谱
机译:通过离子束沉积生长的InAs / GaAs异质结构的光致发光光谱的变化
机译:InAs / GaAs纳米线异质结构中InAs分支的演化