机译:通过金属有机化学气相沉积法将InAlGaN合金作为顺应性中间层生长的无裂纹GaN / Si(111)外延层
Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China;
cracks; (111) substrate; stresses; metalorganic chemical vapor deposition; GaN; InAlGaN buffer; LIGHT-EMITTING-DIODES; SI(111) SUBSTRATE; PHASE EPITAXY; BUFFER LAYER; GAN GROWTH; ALN; ULTRAVIOLET; SILICON; FILMS; ALXGA1-XN;
机译:通过有机金属化学气相沉积在Si(1 1 1)衬底上生长的无裂纹InAlGaN四元合金薄膜
机译:通过金属有机化学气相沉积在硅(111)上生长在硅(111)上生长的GaN中的裂缝控制
机译:使用薄Al_2O_3中间层在Si(111)上进行无裂纹的GaN基发光二极管的金属有机化学气相沉积
机译:金属有机化学气相沉积在(100)和(111)GaAs上的立方GaN的外延生长和结构,光学性质
机译:通过等离子体增强的金属有机化学气相沉积法制得的锶钛氧化物和钡(1-x)锶钛氧化物外延薄膜。
机译:通过金属有机化学气相沉积法生长具有不同夹层的高Al含量AlxGa1-xN / GaN多量子阱的子带间吸收特性
机译:采用金属有机化学气相沉积法生长GaN中间层的alGaN基分布布拉格反射镜的应变管理
机译:有机金属化学气相沉积mg掺杂GaN外延层的磁共振研究2。杂志文章