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机译:钇稳定氧化锆(001)衬底上立方InN薄膜的RF-MBE生长和结构表征
Department of Advanced Materials Science, Graduate School of Frontier Sciences, The University of Tokyo, 5-1-5 Kashiwanoha, Kashiwa 277-8561, Japan;
A1. Crystal structure; A1. High-resolution X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. InN;
机译:RF-MBE在YSZ(001)邻近衬底上生长立方InN薄膜
机译:MgO(001)衬底上立方InN膜的RF-MBE生长
机译:GaAs上立方InN薄膜的RF-MBE生长和结构表征
机译:ysz(001)ysz(001)的立方INN薄膜的RF-MBE成长
机译:硅基衬底上有机薄膜的生长,结构和电学特性。
机译:氧化亚钇稳定的立方氧化锆(110)-水界面处的水合结构分辨率低于Ångström
机译:使用mBE蒸馏在氧化钇稳定的立方氧化锆(001)上外延和逐层生长EuO薄膜