机译:Ⅲ-Ⅴ硅上的外延在光子学中的应用
Toyohashi University of Technology, 1-1 Hibarigaoka, Tempaku-cho, Toyohashi, Aichi 441 -8580, Japan;
a3. metalorganic vapor phase epitaxy; a3. molecular beam epitaxy; b2. semiconducting Ⅲ-Ⅴ materials; b2. semiconducting silicon; b3. field effect transistors; b3. light emitting diodes;
机译:通过超高压化学气相沉积(UHV-CVD)系统通过等离子增强,用于光子器件应用的高质量Ge缓冲液的低温外延
机译:通过UHV-CVD系统对光子器件应用等离子体增强的高质量GE缓冲器的低温外延
机译:通过中型生长在硅上实现无裂纹的GaAs外延:应用于基于硅的波长选择光电探测器通过中型生长在硅上实现无裂纹的GaAs外延:在基于Si的波长选择光电探测器上
机译:通过分子束外延生长用于光子学的异质结构III-V纳米线
机译:甘油基纳米线异质结构的选择性区域外星应用在光子和电子器件中的应用
机译:Si上基于GaAs的谐振隧穿二极管(RTD)外延用于高度敏感的应变仪应用
机译:通过UHV-CVD系统对光子器件应用等离子体增强的高质量GE缓冲器的低温外延
机译:分子束外延生长在硅和绝缘衬底上的薄膜Gaas的光子学应用。