硅光子学平台中的硅上锗雪崩光探测器及其制造方法

摘要

本公开涉及硅光子学平台中的硅上锗雪崩光探测器及其制造方法。一种硅上锗雪崩光探测器包括：绝缘体上硅衬底的硅器件层，绝缘体上硅衬底具有在重n++掺杂状态下的第一电极区域与第二电极区域之间的、以适度重n+掺杂状态为特征的中央区域；中央区域的第一子层，被改性为几乎中性掺杂状态并且位于硅器件层的顶表面下方从第一深度直到第二深度；中央区域的第二子层，被改性为适度p掺杂状态并且从顶表面被嵌入直到第一深度以与第一子层交界；锗层，具有附接到第二子层的顶表面的底部；以及第三子层，被嵌入锗层的顶部中、以重p++掺杂状态为特征。