机译:金属有机气相外延生长高应变InGaAs / GaAs量子阱的长波优化
Department of Microelectronics and Applied Physics, Royal Institute of Technology (KTH), Electrum 229, S-16440 Kista, Sweden;
A1. Photoluminescence; A1. Substrates; A3. Metal-organic vapor-phase epitaxy; A3. Quantum wells; B2. InGaAs;
机译:金属有机气相外延生长的高应变InGaAs / GaAs双量子阱结构的温度相关表面光电压光谱表征
机译:金属有机气相外延生长的超低密度InGaAs / GaAs量子点在1.3μm处呈现级联单光子发射
机译:金属有机气相外延在(111)A GaAs上生长的应变压电InGaAs / GaAs量子阱的界面性质
机译:金属有机气相外延生长的间接泵浦太赫兹InGaAs / InAlAs量子级联激光器
机译:基于在结构化衬底上生长的低阈值应变InGaAs / GaAs量子阱激光器的光电器件
机译:高衬底温度下通过液滴外延生长的单个InGaAs / GaAs量子点的单光子发射
机译:间接泵浦37 ZHz indaas / Inalas量子 - 级联激光器,由金属 - 有机气相外延生长
机译:金属有机气相外延生长的自组织InGaas / Gaas量子线纳米结构。