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机译:射频功率和沉积温度对射频磁控溅射制备的Mg_4Ta_2O_9薄膜的结构和电性能的影响
Department of Electrical Engineering, National Cheng Kung University, 1 University Road, Tainan 70101, Taiwan;
Department of Electrical Engineering, National Cheng Kung University, 1 University Road, Tainan 70101, Taiwan;
A3. Polycrystalline deposition; B1. Oxides; B2. Dielectric materials;
机译:沉积压力和射频功率对射频磁控溅射制备Zr_(0.8)Sn_(0.2)TiO_4薄膜的结构和电性能的影响
机译:抗谱夹丸溅射沉积温度对Mn1.56Co0.96NI0.48O4薄膜的微观结构,阳离子分布和电性能的影响
机译:退火温度对射频磁控溅射沉积生长(Na,K)NbO_3薄膜的结构和电性能的影响
机译:RF磁控溅射薄膜光伏制备的氢化多晶锗薄膜的结构和电性能
机译:沉积参数与射频磁控溅射沉积氧化锆薄膜性能之间的关系。
机译:射频磁控溅射制备(MgAl)共掺杂ZnO薄膜的光电性能研究与研究
机译:RF磁控溅射制备的非均匀ZnO薄膜晶体结构与电性能的关系