射频功率对反应磁控溅射法沉积的a-C:F薄膜的影响

摘要

以高纯石墨作靶、CHF3/Ar作源气体,采用反应磁控溅射沉积法制备了具有低介电常数(k～2.18)的氟化非晶碳(a-C:F)薄膜.薄膜的结构和性质由红外吸收光谱、紫外可见光光谱、沉积速率及介电常数等作了表征.有关数据显示,薄膜的沉积速率随着射粒输入功率的增大而上升.所沉积的a-C:F薄膜中存在着一定比例的苯环结构.改变射频功率可以改变薄膜中的F/C比值,调制薄膜中环式结构与链式结构的比例,从而影响薄膜的介电常数和光学带隙等性能.