机译:GaAs的高材料效率MOVPE且不会降低光伏性能
Department of Electrical Engineering and Information Systems, School of Engineering, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan;
Department of Electrical Engineering and Information Systems, School of Engineering, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan;
Research Center for Advanced Science and Technology, The University of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8904, Japan;
A1. Crystal morphology; A3. Metal-organic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting Ⅲ-Ⅴ materials; B3. Solar cells;
机译:MOVPE生长的应变InGaNAs / GaAs和InGaAs / GaAs QW激光二极管的性能比较
机译:MOVPE生长的InGaP / GaAs MQW用于先进光伏器件的结构和光学特性
机译:通过MOVPE生长的GaAs衬底上的InAs钝化的GaSb热光伏电池
机译:使用硅注入和两级大气压MOVPE制作的无保护环的平面InP / InGaAs雪崩光电二极管
机译:使用性能比,性能指标和原始kWh方法的光伏电站特定气候退化率和线性分析。
机译:通过应用包含Eu掺杂和Yb / Er掺杂的磷光体的光谱转换层来增强GaAs单结太阳能电池的光伏性能
机译:在不使用应变平衡技术的情况下提高通过MOVPE生长的InAs / GaAs QD阵列的太阳能电池的量子效率
机译:具有/不具有al(0.2)Ga(0.8)阻挡层的高性能Inas / Gaas量子点红外光电探测器。