机译:平面InGaAs-InP雪崩光电二极管中的浮动保护环抑制扩散结外围的雪崩倍增
机译:具有优先横向扩展保护环的平面结构InP / InGaAsP / InGaAs雪崩光电二极管,用于1.0-1.6μm波长的光通信
机译:使用深浮动保护环抑制平面InP / InGaAs雪崩光电二极管中的击穿前
机译:使用硅注入和两级大气压MOVPE制成的平面InP / InGaAs雪崩光电二极管
机译:通过晶圆键合和氢诱导层剥离在硅上集成Inp / InGaas / Inp p-i-n光电二极管
机译:离子注入制备Inp中的平面防护雪崩二极管