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机译:平面InGaAs-InP雪崩光电二极管中的浮动保护环抑制扩散结外围的雪崩倍增
机译:具有浮动保护环和双扩散结的平面InP / InGaAs雪崩光电二极管
机译:使用深浮动保护环抑制平面InP / InGaAs雪崩光电二极管中的击穿前
机译:具有Au / Zn低电阻欧姆接触的双浮动保护环型InP-InGaAs雪崩光电二极管的特性
机译:平面InGaAs / InGaAsP / lnP雪崩光电二极管中的浮动保护环抑制结周边的雪崩增益
机译:具有碰撞电离工程倍增区域的低噪声雪崩光电二极管。
机译:高紫外线检测效率的4H-SiC分离吸收电荷和倍增雪崩光电二极管结构的优化策略
机译:有源淬火ASIC对InGaAs-InP雪崩光电二极管在1550nm处的全面表征