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机译:工业直拉硅晶体生长过程的组合全局2D局部3D建模
Fraunhofer Institut USB, Schottkystr. 10, 91058 Erlangen, Germany;
Fraunhofer Institut USB, Schottkystr. 10, 91058 Erlangen, Germany;
Fraunhofer Institut USB, Schottkystr. 10, 91058 Erlangen, Germany,Fraunhofer THM, Am St.-Nidas-Schacht 13, 09599 Freiberg, Germany;
A1. computer simulation; A1. heat transfer; A1. fluid flow; A1. mass transfer; A2. czochralski method; B1. semiconducting silicon;
机译:Czochralski硅生长的整体模型可预测熔体-晶体界面处的氧含量和热波动
机译:CZ和FZ工艺对大型硅晶体工业增长的数学建模
机译:传播磁场对二次硅晶体直拉生长的数值模拟
机译:切克劳斯基硅晶体生长过程中氧偏析的动态全局建模
机译:直拉硅晶体生长:建模和仿真研究。
机译:3D印刷硅胶弯月面植入物:3D打印过程对硅胶植入物性质的影响
机译:CZ和FZ块体晶体生长的全局模拟:从准动态和动态建模到过程控制和晶体质量优化