机译:通过电子束蒸发形成的堆叠元素层的RTP退火对Cu(In,Ga)Se_2薄膜的晶体生长
Center for Photovoltaic and Solar Energy, Shenzhen Institute of Advanced Technology, Chinese Academy of Sciences, Shenzhen City 518055, China;
Department of Electronics Engineering, Cachon University, 1342 Senognam-Daero, Soojung-gu, Seongnam-si, Gyeonggi-do 461-701, Korea;
Department of Electronics Engineering, Cachon University, 1342 Senognam-Daero, Soojung-gu, Seongnam-si, Gyeonggi-do 461-701, Korea;
Cu(In,Ga)Se_2 (CIGS) thin film solar cells; Stacked elemental layer (SEL); Rapid thermal process (RTP);
机译:电子束蒸发元素金属堆叠前体对两步法对Cu(InGa)Se_2薄膜性能的影响
机译:通过In / Ga / Cu / Se堆叠元素层的石墨箱退火制备的CuIn_xGa_(1-x)Se_2薄膜的光致发光研究
机译:金属间化合物在元素堆叠退火过程中的动态形成及其对Cu_2ZnSnSe_4薄膜结晶的影响
机译:用元素共蒸发生长的Cu(In,Ga)Se_2薄膜的原位退火
机译:金属有机化学气相沉积和原子层沉积方法,用于从二烷基酰胺前体中生长ha基薄膜,用于高级CMOS栅极堆叠应用
机译:IAD电子束蒸发低温TiO2 / Ag / SiO2电极用透明导电多层膜
机译:通过溅射和共蒸发沉积的Cu(In,Ga)Se_2薄膜的强度,刚度和微观结构