机译:通过GaAs缓冲层的厚度控制2-off GaAs(100)衬底上InAs量子点的尺寸
A1. Atomic force microscopy; A3.Metalorganic chemical vapor deposition;
机译:InAlGaAs和GaAs组合势垒厚度对MBE生长的InAs / GaAs量子点异质结构堆叠层中点形成持续时间的影响
机译:使用GaAsSb变质缓冲层在GaAs衬底上生长的1.55μmInAs量子点
机译:四元合金(InAlGaAs)封顶的InAs / GaAs多层量子点异质结构的热稳定性,其生长速率,势垒厚度,种子量子点单层覆盖率和生长后退火均会发生变化
机译:将InGaAs和Gaassb变质缓冲层对GaAs底物进行了inaS量子点,其在1.55μm下发射
机译:在2-D电场下探索InAs / GaAs量子点和量子点分子中的单孔状态
机译:硅衬底上直接生长的InAs / InGaAs / GaAs量子点太阳能电池
机译:通过自组织各向异性应变工程在InGaAsP / InP(100)上的波长控制的多层堆叠线性InAs量子点阵列:自排序量子点晶体
机译:InGaas量子点中应变边界条件和Gaas缓冲层尺寸的研究