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机译:SCW在4.2和77 K应变Si / SiGe异质结构中传播的数值模拟
Electronics Department, INAOE, P.O. Box 51 and 216, Puebla, Pue., Mexico;
space charge waves; strained Si/SiGe heterostructure; negative differential conductance;
机译:应变Si / SiGe异质结构中77 K下空间电荷波放大的二维模拟
机译:Si-SiGe腔中弹道磁导和磁聚焦的数值模拟
机译:Si-SiGe腔中弹道磁导和磁聚焦的数值模拟
机译:在77K应变Si / SiGe异质结构中使用空间电荷波进行微波放大
机译:镓单晶在280度K,77度K和4.2度K上的电磁效应。
机译:第3维度在单相钢全相数值模拟中对代表性体积元素(RVE)内的损伤启动和传播的影响
机译:提取大的价带能量偏移并与弛豫siGe衬底上的应变si /应变Ge-II异质结构的理论值比较