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机译:二维分析亚阈值行为分析,包括纳米级栅极堆叠栅全向(GASGAA)MOSFET的热载流子效应
LEA, Department of Electronics, University of Batna, Batna 05000, Algeria;
LEA, Department of Electronics, University of Batna, Batna 05000, Algeria;
LEA, Department of Electronics, University of Batna, Batna 05000, Algeria;
LEA, Department of Electronics, University of Batna, Batna 05000, Algeria;
nanoscale; MOSFET; hot-carrier; degradation; subthreshold current;
机译:亚阈值行为的二维分析分析,以研究纳米级渐变沟道栅堆叠DG MOSFET的缩放能力
机译:二维阈值摆动行为的二维半分析,包括纳米级双栅MOSFET的自由载流子和界面陷阱效应
机译:纳米级全耗尽双栅极MOSFET的分析分析,包括热载流子退化效应
机译:基于表面电势的模型用于研究亚阈值摆幅行为,包括纳米级GASGAA MOSFET的热载流子效应
机译:对绝缘体上硅CMOS器件和电路(包括双栅MOSFET)的基于过程的紧凑建模和分析。
机译:氟化HfO2 / SiON栅堆叠的单轴应变nMOSFET的电学特性
机译:用于改进的模拟应用的MOSFET(AGSTMGAAFET)周围的非对称闸门三重金属门的亚阈值分析模型
机译:具有空气/半导体反射镜的长波长垂直腔体激光器:用于硅mOsFET的纳米级栅极技术