机译:用于改进的模拟应用的MOSFET(AGSTMGAAFET)周围的非对称闸门三重金属门的亚阈值分析模型
机译:短沟道三材料双栅极(TM-DG)MOSFET的亚阈值电流和亚阈值摆幅的分析模型
机译:用于模拟/ RF应用的重叠双材料双栅极(DMDG)MOSFET的二维(2D)分析亚阈值摆幅和跨导模型
机译:双功函数金属栅极MOSFET使用高k栅极电介质的2-D分析建模,具有增强的RF /模拟性能,用于低功耗应用
机译:用于改进的模拟应用的MOSFET(AGSTM)周围的不对称闸门堆栈三重金属门
机译:用于数字和模拟/ RF电路应用的双栅极MOSFET的建模,制造和表征
机译:氟化HfO2 / SiON栅堆叠的单轴应变nMOSFET的电学特性
机译:双金属双栅极高k堆叠(DMDG-HKS)MOSFET的模拟和RF性能评估