机译:使用寄生双极结型晶体管控制SOI LDMOS中的导通电阻
Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Delhi, Hauz Khas, New Delhi 110 016, India;
Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Delhi, Hauz Khas, New Delhi 110 016, India;
2D numerical simulation; Laterally double diffused metal oxide semiconductor field effect transistor(LDMOSFET); ON-resistance; Parasitic BJT; Power MOSFET; Silicon on insulator (SOI);
机译:具有新型结型场板的低比导通电阻SOI LDMOS
机译:具有2.9mΩ·cm {sup} 2的非常低的导通电阻的4H-SiC功率双极结型晶体管
机译:利用寄生双极结晶体管效应开发基于高性能全耗尽型绝缘体上硅的扩展栅场效应晶体管
机译:横向沟槽栅极超连线SOI-LDMOSFET,导通电阻低
机译:等离子体双极结型晶体管的性能和分析:表面电性能的控制。
机译:电化学传感器中场效应晶体管和双极结晶体管作为传感器的比较
机译:具有双栅极的超结LDMO,用于低电阻和高跨导