机译:产量驱动的功率延迟最佳CMOS全加法器设计符合PVT变化和NBTI降级的汽车产品规格
Sapienza Univ Rome, Dept Informat Engn Elect & Telecommun, Rome, Italy;
Sapienza Univ Rome, Dept Informat Engn Elect & Telecommun, Rome, Italy;
MunEDA GmbH, Munich, Germany;
Yield; Circuit sizing; CMOS; Statistical variations; NBTI; Leakage; Delay;
机译:NBTI / PBTI对时序控制电路的影响以及纳米级CMOS SRAM中的耐劣化设计
机译:教程:高速纳米级CMOS混合电压数字I / O缓冲器的设计,具有高可靠性的PVTL变化
机译:使用90-NM CMOS工艺进行防PVT变化低功耗时间转换器设计
机译:完整加法器电池中的最佳NBTI降解和抗PVT变化的器件尺寸
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机译:用于汽车压力和温度复合传感器的信号调理IC中采用180 Nm CMOS技术的低功耗小面积符合AEC-Q100标准的SENT发送器的设计
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机译:货物运输操作系统(CmOs)。最终软件产品规格增量1。