机译:具有Si0.55Ge0.45源的无掺杂隧道FET的模拟和RF性能
Dr BR Ambedkar Natl Inst Technol, Dept Elect & Commun Engn, Jalandhar, Punjab, India;
Dr BR Ambedkar Natl Inst Technol, Dept Elect & Commun Engn, Jalandhar, Punjab, India;
Charge plasma; Doping less TFET (DLTFET); Band to band tunneling (BTBT); Si0.55Ge0.45-source DLTFET; Analog parameters;
机译:栅极失准对基于电荷等离子体的无掺杂隧道FET的模拟/ RF性能的影响
机译:基于双电极的无掺杂隧道FET的模拟性能研究
机译:Si 0.6 Ge 0.4异质结的少掺杂隧道场效应晶体管,用于改善开关电流比和模拟/ RF性能
机译:氧化物工程对较少DMDG MOSFET模拟/射频性能的影响
机译:平面源极袋(PSP)隧道MOSFET:适用于低功耗应用并改善隧道MOSFET性能的潜在器件解决方案。
机译:T形栅极双源极隧道场效应晶体管的模拟/ RF性能
机译:一种SiGe源掺杂的双栅极隧道FET:基于增强性能的充电等离子体技术的设计与分析
机译:通过陡峭斜率FinFET实现模拟和RF电路性能的突破。