一个适用于RFIC设计的RF MOSFET源漏电阻可缩放模型

余裕宁; 孙玲玲; 刘军

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一个适用于RFIC设计的RF MOSFET源漏电阻可缩放模型

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提出了一个可用于0.18 μm CMOS工艺RF-MOSFET的源漏电阻的可缩放模型.采用了一种直接基于S参数测量的方法来准确提取端口的寄生电阻,该模型充分考虑了各种版图尺寸,如沟道长度,沟道宽度和栅极指头数目等参数的可缩放性.此后,该模型通过不同尺寸的共源连接RF MOSFET的测量和仿真的直流、小信号S参数特性比对,曲线达到了较好的吻合,表明我们的模型是精确而且有效的.

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来源
《电子器件》|2010年第4期|428-432|共5页
作者
余裕宁; 孙玲玲; 刘军;
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作者单位

杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室,浙江,杭州,310018;

杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室,浙江,杭州,310018;

杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室,浙江,杭州,310018;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应型;散射通信;
关键词
射频场效应晶体管; 串联电阻; 可缩放模型;
入库时间 2023-07-25 14:26:28

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