RF-CMOS建模:面向低功耗应用的RF-MOSFET模型开发

摘要

在EKVv2·6本征模型基础上发展出一种新的、可用于低压低功耗CMOSRFICCAD的RF-MOSFET模型,模型对栅氧化层寄生电阻以及有损基底损耗进行了考虑.在对晶体管零偏和线性工作态下等效电路进行分析的基础上,开发出新的解析提取RF-MOSFET器件射频寄生参数的算法.模型最终应用到采用CSM(CharteredSemiconductorManufactureLtd)0·25μmRF-CMOS工艺制造的一共源连接、8栅指(每指尺寸长L=0·24μm,宽W=9·58μm)n-MOSFET建模中,DC高达40GHz测量和仿真所得S参数对比结果验证了模型的良好精度.